CV200 CV测试系统主要用于监测MOS晶圆衬底的工艺参数如电容、氧化层厚度、掺杂浓度、平带电压等特性，可满足MOS,PN结电容的外延片、MIS结构电容测试要求。可根据实际需求的要求来灵活搭配测试仪，如准静态CV测试、高频CV测试、可变温偏压加热盘、真空控制盘。具体有平台的测试完整性和测试的灵活性，同时结合BTS方法，C-V测试软件提取可动电荷，通过分析软件计算界面陷阱电荷。

应用： MOSFET晶圆衬底的工艺参数提取

技术指标：

CV测试频率：20Hz~1MHz

扫描偏置电压范围±100V，电流输出±1A

热吸盘:直径200mm,表面镀镍，可真空吸附，具有水冷接口，温度范围常温~200°C，吸盘温度可通过计算机进行控制。

遮光暗箱：金属屏蔽，黑色，光打开关闭状态可程控

温控器：可软件编程控制温度，加热吸盘，温控器，包括连接线缆

CV测试仪软件功能：可控制LCR表，扫描CV曲线，可控偏压电源，温度控制器 、包括生产C-V可动电荷软件模块

MOS测试模块， 扫描频率MOS C-V测试模块.软件分析功能可给出CV测试曲线，可动电荷密度，氧化层厚度、平带电压等参数自动存储数据，支持自定义格式导出