一、描述

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SI4430采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关，并用于许多其他应用。

二、一般特征

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包