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SI4614(低压MOSFET)
一、描述SI4614采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关,并用于许多其他应
2022-11-18
SI4430(低压MOSFET)
一、描述212/5000SI4430采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关,并用于许
2022-11-18
SI5N60(高压MOSFET)
一、描述SI5N60是一种高压MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间,低栅电荷,低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率
2022-11-18
SI4N65(高压MOSFET)
一、描述这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术是专门定制的,以zui小化对态电阻,提供优越
2022-11-18
SI4N60(高压MOSFET)
一、描述SI4N60是一种高压MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间,低栅电荷,低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率
2022-11-18
SI68H11(低压大电流MOS管)
一、特性68V,110A n沟道MOSFETRDS(上)(typ) = 6.5Ω@VGS = 10 v高强度快速切换优异的dv/dt能力二、应用程序开关应用程序
2022-11-18
SI9435(低压MOSFET)
一、描述SI9435采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS,低栅电荷和操作,栅电压低至4.5V。二、一般特征VDS= -30VRDS 85m?@ VGS=-4.5
2022-11-18
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