一、描述
SI5N60是一种高压MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅电荷，低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用，pwm电机控制，直流到直流转换器和桥接电路。
二、特性
RDS() = 2.5Ω@VGS = 10 v
超低门电荷(平均15.0nC)
低反向传输电容(CRSS=typica8.0pF)
快速切换能力
改进的dv/dt能力，高耐用性
SI5N60(高压MOSFET)
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SI5N60(高压MOSFET)
详细信息
一、描述 SI5N60是一种高压MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅电荷，低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用，pwm电机控制，直流到直流转换器和桥接电路。 二、特性 RDS() = 2.5Ω@VGS = 10 v 超低门电荷(平均15.0nC) 低反向传输电容(CRSS=typica8.0pF) 快速切换能力 改进的dv/dt能力，高耐用性 |
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