一、描述
212/5000
SI4430采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关，并用于许多其他应用。
二、一般特征
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
SI4430(低压MOSFET)
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SI4430(低压MOSFET)
详细信息
一、描述 212/5000 SI4430采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关，并用于许多其他应用。 二、一般特征 高功率和电流处理能力 获得无铅产品 表面安装包 |
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